Технічні науки - реферати
Розрахунок концентрації носіїв заряду. Власна провідність напівпровідників
Електропровідність напівпровідників.
Електрони і дірки
Електричний струм та рівняння неперервності. Поняття рухливості носіїв вільного заряду
Електронно-дірковий перехід (pn-перехід)
Діоди
Електропровідність напівпровідників
Легування кристалів донорною або акцепторною домішкою, напівпровідники "n" та "p" типу
Електрони в твердому тілі. Електрони в кристалі. Електрони та дірки в кристалі
Електронно-дірковий (pn) перехід
Напівпровідникові прилади
Рекомбінація електронів та дірок
Провідність напівпровідників
Домішки в напівпровідниках
Енергетичний спектр електронів у напівпровідниках
Кристали
Молекули
Енергетичний спектр електронів в атомі
Параметри ЦАП
Застосування ЦАП
Інтерфейси цифро-аналогових перетворювачів
Паралельні ЦАП
Цифро-аналогові перетворювачі. Послідовні ЦАП
Динамічні параметри. Шуми АЦП
Послідовний інтерфейс сігма-дельта АЦП. Параметри АЦП. Статичні параметри
Інтерфейси АЦП. АЦП із послідовним інтерфейсом вихідних даних. АЦП із паралельним інтерфейсом вихідних даних
Системи збору даних та мікроконвертори
Перетворювачі напруга-частота
Автоматична корекція нуля. Перетворення біполярних вхідних сигналів. Сігма-дельта АЦП
Інтегруючі АЦП
Як уже відмічалось, при переході від ізольованих атомів до твердого
тіла дискретні енергетичні рівні в результаті взаємодії атомів
розщіплюються в зони. Спеціалістів у галузі напівпровідникової
ел...
Розмір реферату: kB
Розмір реферату: kB
Електропровідність напівпровідників.
Особливості енергетичних зон металів, напівпровідників та діелектриків.
Концентрація електронів та дірок у власному напівпровіднику.
В металах валентна зона заповнена не повністю (вони володіють ни...
Розмір реферату: kB
Розмір реферату: kB
Електрони і дірки
Відомо, що первиннми та єдиними носіями заряду є електрони та протони.
У вакуумі та газах електрони і протони можуть бути вільними, в твердих
тілах та рідинах електрони і протони зв'язані з атомами і...
Розмір реферату: kB
Розмір реферату: kB
Електричний струм та рівняння неперервності. Поняття рухливості носіїв вільного заряду
Сучасні електротехніка та електроніка використовують різні методи
управління електричним струмом. Тому поняття електричного струму лежить
в основі усіх дисциплін електротехнічного напрямку. Електри...
Розмір реферату: kB
Розмір реферату: kB
Електронно-дірковий перехід (pn-перехід)
Структура pn-переходу
Випрямляючі властивості діода вникають завдяки напівпровідниковому
елементові - електронно-дірковому переходові (pn-переходові). PN-перехід
складається з виконаних в одному кри...
Розмір реферату: kB
Розмір реферату: kB
Діоди
Випрямляючий діод призначений для перетворення напруги змінногоструму в
постійну. Ідеальний випрямляч повинен пропускати струм однієї
полярності, іншої - не пропускати. В якості прикладу на правому ри...
Розмір реферату: kB
Розмір реферату: kB
Електропровідність напівпровідників
Здатність твердих тіл пропускати електричний струм характеризується їх
електричною провідністю або електропровідністю. Величина обернена
електропровідності називаеться питомим опором.
Чим більше...
Розмір реферату: kB
Розмір реферату: kB
Легування кристалів донорною або акцепторною домішкою, напівпровідники "n" та "p" типу
Наявність в кристалі домішок та дефектів призводить до появи в
забороненій зоні енергетичних рівнів, положення яких залежить від типу
домішки чи дефекта. Для управління електричними властивостями
...
Розмір реферату: kB
Розмір реферату: kB
Електрони в твердому тілі. Електрони в кристалі. Електрони та дірки в кристалі
Электрони в атомі
Тверді тіла складаються з атомів, які зв'язані одні з одними силами
міжатомнї взаємодії. Якщо атоми в твердому тілі розміщені в строгому
порядку то це HYPERLINK кристал,
якщо ...
Розмір реферату: kB
Розмір реферату: kB
Електронно-дірковий (pn) перехід
Принцип роботи PN переходу
При зміні висоти бар'єру (при зовнішньому зміщенні) змінюється
співвідношення між потоками носіїв заряду, які йдуть проти поля PN
переходу (дифузійна складова) та вздовж п...
Розмір реферату: kB
Розмір реферату: kB
Напівпровідникові прилади
Класифікація напівпровідникових приладів
Напівпровідникові прилади можна розділити на дві великі групи: біполярні
та уніполярні. До біполярних приладві відносяться: діоды з PN переходом,
біполярні т...
Розмір реферату: kB
Розмір реферату: kB
Рекомбінація електронів та дірок
Міжзонна рекомбінація та рекомбінація через проміжний рівень
Взаємодія електрона та дірки може призводити до їх рекомбінації, в
результаті якої електрон повертається в валентну зону. Вільні електрон...
Розмір реферату: kB
Розмір реферату: kB
Провідність напівпровідників
Поняття ефективної маси електронів та дірок.
Елетрони та дірки, що знаходяться в дозволених енергетичних зонах можуть
переміщуватись в межах простору кристалу, прискорюючись або
сповільнюючись під в...
Розмір реферату: kB
Розмір реферату: kB
Домішки в напівпровідниках
Легування кристалів донорною або акцепторною домішкою.
Наявність в кристалі домішок та дефектів приводить до утворення в
забороненій зоні енергетичних рівнів, положення яких залежить від типу
домішк...
Розмір реферату: kB
Розмір реферату: kB
Енергетичний спектр електронів у напівпровідниках
Електрони та дірки в напівпровідниках
Під дією тепла або світла електрони можуть переходити з валентної зони в
зону провідності. Вихід електрона викличе утворення дірки, яка повинна
володіти додатні...
Розмір реферату: kB
Розмір реферату: kB
Кристали
ЕНЕРГЕТИЧЕНИЙ СПЕКТР ЭЛЕКТРОНІВ В КРИСТАЛІ
Елементарні напівпровідники
Серед напівпровідникових материалів наибільше застосування знайшов
кремній - елемент четвертої групи таблиці Менделеєва. Для т...
Розмір реферату: kB
Розмір реферату: kB
Молекули
ЕНЕРГЕТИЧНІ РІВНІ ЕЛЕКТРОНІВ В МОЛЕКУЛІ
Зв'язуюча та розрихлююча орбіталі
При зближенні двох атомів, наприклад, водню, їх орбіталі починають
перекриватись і можливе виникнення зв'язку між ними. Існ...
Розмір реферату: kB
Розмір реферату: kB
Енергетичний спектр електронів в атомі
ЕЛЕКТРОНА БУДОВА АТОМА
Модель Бора
Згідно з моделлю Бора електрони в атомах обертаються навколо ядра
круговими орбітами, або оболонками. Кожна оболонка має строго визначений
енергетичний рівень та ...
Розмір реферату: kB
Розмір реферату: kB
Параметри ЦАП
При послідовному зростанні значень вхідного цифрового сигналу D(t) від
0 до 2N-1 через одиницю молодшого розряду (ОМР) вихідний сигнал Uвых(t)
утворить східчасту криву. Таку залежність переважно нази...
Розмір реферату: kB
Розмір реферату: kB
Застосування ЦАП
Схеми застосування цифро-аналогових перетворювачів відносяться не
тільки до області перетворення код - аналог. Користаючись їхніми
властивостями можна визначати добутки двох або більше сигналів, буду...
Розмір реферату: kB
Розмір реферату: kB
Інтерфейси цифро-аналогових перетворювачів
Важливу частину цифро-аналогового перетворювача складає цифровий
інтерфейс, тобто схеми, що забезпечують зв'язок керуючих входів ключів
із джерелами цифрових сигналів. Структура цифрового інтерфейсу ...
Розмір реферату: kB
Розмір реферату: kB
Паралельні ЦАП
ЦАП з cумуванням вагових струмів
Більшість схем паралельних ЦАП засновано на підсумовуванні струмів, сила
кожного з яких пропорційна вазі цифрового двійкового розряду, причому
повинні сумуватися тіл...
Розмір реферату: kB
Розмір реферату: kB
Цифро-аналогові перетворювачі. Послідовні ЦАП
Загальні відомості
Цифро-аналоговий перетворювач (ЦАП) призначений для перетворення числа,
визначеного, як правило, у виді двійкового коду, у напругу чи струм, які
пропорційні значенню цифрового код...
Розмір реферату: kB
Розмір реферату: kB
Динамічні параметри. Шуми АЦП
Виникнення динамічних похибок пов'язано з дискретизацією сигналів, які
змінюються в часі. Можна виділити наступні параметри АЦП, що визначають
його динамічну точність
Максимальна частота дискрет...
Розмір реферату: kB
Розмір реферату: kB
Послідовний інтерфейс сігма-дельта АЦП. Параметри АЦП. Статичні параметри
Послідовний інтерфейс сігма-дельта АЦП із процесорами апаратно реалізується досить просто. Наприклад, для зв'язку 24-розрядного трьохканального АЦП AD7714 з мікроконтролером 80С51 у найпростішому випа...
Розмір реферату: kB
Розмір реферату: kB
Інтерфейси АЦП. АЦП із послідовним інтерфейсом вихідних даних. АЦП із паралельним інтерфейсом вихідних даних
Важливу частину аналого-цифрового перетворювача складає цифровий
інтерфейс, тобто схеми, що забезпечують зв'язок АЦП із приймачами цифрових сигналів. Структура цифрового інтерфейсу визначає спосіб
...
Розмір реферату: kB
Розмір реферату: kB
Системи збору даних та мікроконвертори
Поступове ускладнення АЦП, поява багатоканальних АЦП, АЦП з вбудованим
пристроєм вибірки-зберігання, АЦП зі складною цифровою частиною
викликало те, що зараз існують завершені однокристальні системи ...
Розмір реферату: kB
Розмір реферату: kB
Перетворювачі напруга-частота
На базі перетворювачів напруга-частота (ПНЧ) можуть бути побудовані
інтегруючі АЦП, що забезпечують відносно високу точність перетворення
при низької вартості. Існує кілька видів ПНЧ. Найбільше засто...
Розмір реферату: kB
Розмір реферату: kB
Автоматична корекція нуля. Перетворення біполярних вхідних сигналів. Сігма-дельта АЦП
Як випливає з (10), статична точність АЦП багатотактного інтегрування
визначається тільки точністю джерела опорної напруги та зсувом нуля
інтегратора та компаратора, які сумуються з опорною апругою...
Розмір реферату: kB
Розмір реферату: kB
Інтегруючі АЦП
Недоліком розглянутих вище послідовних АЦП є низька завадостійкість
результатів перетворення. Дійсно, вибірка миттєвого значення вхідної
напруги, переважно включає доданок у виді миттєвого значення з...
Розмір реферату: kB
Розмір реферату: kB