Технічні науки - реферати
Мультиплексори
Кодоперетворювачі
Шифратори. Дешифратори
Мікросхеми та вузли комбінаційного типу
Мінімізація функцій алгебри логіки методом карт Карно. Мінімізація функцій алгебри логіки методом Квайна-Мак-Класкі
Функції алгебри логіки. Способи задавання функцій алгебри логіки
Розподіл логічних ІМС за схемотехнічними ознаками
МДН транзистори
Польові транзистори з ізольованим затвором (МДН)
Особливості польових транзисторів
Тірістори. Умова вмикання
Робота транзистора в імпульсному режимі.
Частотні характеристики біполярного транзистора
Вплив конструктивно-технологічних характеристик транзистора на параметри еквівалентної схеми
Кількісний аналіз процесів у біполярному транзисторі
Малосигнальні параметри біполярного транзистора та еквівалентні схеми.
Статичні вольтамперні характеристики біполярного транзистора
Принцип роботи транзистора
Випрямляючі діоди
Перехід діода у вимкнений стан
Увімкнення діода
Дифузійна ємність pn переходу
Вплив генерацйно-рекомбінаційних процесів на ВАХ pn переходу
Вольтамперна характеристика pn переходу.
Граничні умови для концентрацій носіїв заряду.
Електронно-дірковний перехід (pn - перехід)
Маркування напівпровідникових компонентів виробниками інших країн
Класифікація напівпровідникових приладів
Рекомбінація електронів та дірок. Час життя нерівноважних носіїв заряду
Легування кристалів донорною або акцепторною домішкою, напівпровідники "n" та "p" типу . Електропровідність легованих кристалі
Мультиплексор (комутатор) призначений для комутації одного з m входів
(каналів) на вихід. Входи мультиплексора, m інформаційних та k керуючих,
знаходяться в наступному співвідношенні: m=2k. Вихід пер...
Розмір реферату: kB
Розмір реферату: kB
Кодоперетворювачі
Кодоперетворювач - це функціональний вузол, який перетворює
m-елементний паралельний код, що надходить на його входи в n-елементний
вихідний паралельний код. Цифрові вузли цього типу застосовують, як...
Розмір реферату: kB
Розмір реферату: kB
Шифратори. Дешифратори
Шифратор (кодер) призначений для перетворення напруги високого рівня на
одному з m входів в паралельний двійковий код, що формується на n
виходах. Кількість входів і виходів пов'язані між собою співв...
Розмір реферату: kB
Розмір реферату: kB
Мікросхеми та вузли комбінаційного типу
Логічні інтегральні мікросхеми
В схемах комбінаційного типу сигнал на виході залежить тільки від
вхідних сигналів. До цього класу функціональних вузлів відносяться
логічні ІМС, шифратори, дешифратор...
Розмір реферату: kB
Розмір реферату: kB
Мінімізація функцій алгебри логіки методом карт Карно. Мінімізація функцій алгебри логіки методом Квайна-Мак-Класкі
Під мінімізацією ФАЛ розуміють перетворення її алгебраїчного виразу з
метою отримання найпростішого виду функції. В інженерній практиці для
мінімізації найширше застосування отримали наступні метод...
Розмір реферату: kB
Розмір реферату: kB
Функції алгебри логіки. Способи задавання функцій алгебри логіки
Цифрову мікросхему як функціональний вузол характеризують системою
сигналів, які доцільно розділити на інформаційні (X1...Xm - вхідні,
Y1...Yn - вихідні) та керуючі (V1...Vk). Кожна ІМС у відповіднос...
Розмір реферату: kB
Розмір реферату: kB
Розподіл логічних ІМС за схемотехнічними ознаками
Для реалізації ІМС з різною швидкодією застосовують декілька
схемотехнічних принципів, що відрізняються один від одного. ІМС з
найвищою швидкодією побудовані на основі елементів емітерно-зв'язаної
ло...
Розмір реферату: kB
Розмір реферату: kB
МДН транзистори
В основі роботи МДН транзистора лежить розглянутий в попередній лекції
ефект керування поверхневою провідністю та поверхневим струмом за
допомогою затвора. Для того, щоб забезпечити проходження керов...
Розмір реферату: kB
Розмір реферату: kB
Польові транзистори з ізольованим затвором (МДН)
Властивості МДН структури.
В основі роботи польових транзисторів з ізольованим затвором лежать
властивості МДН структури (рис.81).
Рис.81. Приклад МДН структури
По суті ця структура є плоским конд...
Розмір реферату: kB
Розмір реферату: kB
Особливості польових транзисторів
Серед чисельних різновидів польових транзисторів можна виділити два
основні класи: польові транзистори із затвором у виді pn переходу та
польові транзистори із затвором, який ізольований від робочого...
Розмір реферату: kB
Розмір реферату: kB
Тірістори. Умова вмикання
Тірістори - багатошарові структури з електронно-дірковими областями,
які чергуються. Двохелектродні тірістори називають діністорами,
трьохелектродні - триністорами. Деколи тірістори називають кремніє...
Розмір реферату: kB
Розмір реферату: kB
Робота транзистора в імпульсному режимі.
Режим перемикання.
В режимі перемикання транзистор працює як електронний ключ: він або
закритий і володіє високим опором, або увімкнений і його опір малий. В
ключовому режимі транзистор вмикається п...
Розмір реферату: kB
Розмір реферату: kB
Частотні характеристики біполярного транзистора
Залежність коефіцієнта передачі струму від частоти в схемі
зі спільною базою [?(?)].
При аналізі часових процесів у біполярному транзисторі необхідно рішати
нестаціонарне рівняння неперервності, як...
Розмір реферату: kB
Розмір реферату: kB
Вплив конструктивно-технологічних характеристик транзистора на параметри еквівалентної схеми
Коефіцієнт передачі за струмом.
Використовуючи (4_90), запишемо:
(4_92)
В (4_92) виділені два співмножники: перший характеризує перенесення
носіїв зарядау через базу, другий - здатність емі...
Розмір реферату: kB
Розмір реферату: kB
Кількісний аналіз процесів у біполярному транзисторі
Для того, щоб вияснити, як впливають конструктивно-технологічні
параметри біполярного транзистора на його характеристики та параметри,
необхідно проаналізувати модель транзистора на основі рішення рі...
Розмір реферату: kB
Розмір реферату: kB
Малосигнальні параметри біполярного транзистора та еквівалентні схеми.
При розрахунках транзисторних підсилювальних схем транзистор, як
правило, заменююьт його еквівалентною схемою, параметри якої отримують
шляхом лінеарізації вольтамперних характеристик в заданій робоч...
Розмір реферату: kB
Розмір реферату: kB
Статичні вольтамперні характеристики біполярного транзистора
На рис. 54 показана схема заміщення біполярного транзистора. На цій
схемі функції I1=f1(Uеб), I2=f2(Uкб) описують нелінійні характеристики
емітерного та колекторного переходів. Генератор струму ?NI1 ...
Розмір реферату: kB
Розмір реферату: kB
Принцип роботи транзистора
Біполярний транзистор - трьохелектродний напівпровідниковий прилад з
двома, розміщеними на близькій віддалі паралельними pn - переходами.
Конструкції біполярного транзистора схематично показані на ри...
Розмір реферату: kB
Розмір реферату: kB
Випрямляючі діоди
Основні вимоги до випрямляючих діодів
Випрямляючий діод призначений для перетворення змінної напруги в
постійну. Ідеальний випрямляч повинен при одній полярності струм
пропускати, а при іншій полярн...
Розмір реферату: kB
Розмір реферату: kB
Перехід діода у вимкнений стан
Момент завершеняя імпульсу струму не означає вимкнення діода. Навіть
після завершення протікання струму (наприклад, при разриві кола) діод на
протязі неякого часу залишається в увімкненому стані: йог...
Розмір реферату: kB
Розмір реферату: kB
Увімкнення діода
Перехідними процесами називають процеси, що передують процесам
встановлення стаціонарного стану, який відповідає новим умовам.
Увімкненням діода називают його перехід в стан з низьким опором, який
ві...
Розмір реферату: kB
Розмір реферату: kB
Дифузійна ємність pn переходу
При прямому увімкненні pn переходу носії дифундують через бар'єр та
накопичуються в сусідній області. Кількість інжектованого в сусідню
область заряду залежить від величини приклладеної до pn переход...
Розмір реферату: kB
Розмір реферату: kB
Вплив генерацйно-рекомбінаційних процесів на ВАХ pn переходу
З (54) для зворотніх струмів електронів та дірок ми можемо написати:
Зміст правої частини рівняння (57) полягає в тому, що величина
зворотнього струму пропорційна концентрації неосновних носіїв, які...
Розмір реферату: kB
Розмір реферату: kB
Вольтамперна характеристика pn переходу.
При розрахунку статичної вольтамперної характеристики pn переходу
приймемо ряд припущень. Будемо вважати:
концентрації носіїв заряду та значення електричних полів в будь-якому
перерізі взірця постій...
Розмір реферату: kB
Розмір реферату: kB
Граничні умови для концентрацій носіїв заряду.
Використовуючи формулу (41) для граничних концентрацій неосновних
носіїв зарядУ, можнА написатИ:
(43)
Ця формула підтверджує той факт, що висота потенційного бар'єру в pn
переході визначає ймовірн...
Розмір реферату: kB
Розмір реферату: kB
Електронно-дірковний перехід (pn - перехід)
Виникнення потенціального бар'єру. Контактна різниця потенціалів.
Електронно-дірковий перехід - основний елемент біполярних приладів, pn -
перехід створюють у кристалі змінюючи тип його провідності,...
Розмір реферату: kB
Розмір реферату: kB
Маркування напівпровідникових компонентів виробниками інших країн
Європейська система PRO-ELECTRON
В Європі широко застосовується система, за якою позначення
напівпроводниковим приладам присвоюються организацією Association
International Pro Electron. За цією сист...
Розмір реферату: kB
Розмір реферату: kB
Класифікація напівпровідникових приладів
Усі напівпровідникові прилади можна умовно розділити на дві великі
групи: біполярні та уніполярні.
До біполярних приладів необхідно віднести усі ті прилади, для роботи
яких принципово важливо наявні...
Розмір реферату: kB
Розмір реферату: kB
Рекомбінація електронів та дірок. Час життя нерівноважних носіїв заряду
Взаємодія електрона та дірки може викликати їх рекомбінацію, в
результаті якої електрон повертається в валентну зону, а енергія, яка
витрачена на перекидання електрона з валентної зони в зону провідн...
Розмір реферату: kB
Розмір реферату: kB
Легування кристалів донорною або акцепторною домішкою, напівпровідники "n" та "p" типу . Електропровідність легованих кристалі
Наявність в кристалі домішок та дефекті викликає появу в забороненій
зоні енергетичних рівнів, положення яких залежить від типі домішки чи
дефекту. Для управління електричними властивостями напівпр...
Розмір реферату: kB
Розмір реферату: kB